三星開發新材料a-BN 次世代半導體有望加速現身

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三星開發新材料a-BN 次世代半導體有望加速現身 | MoneyDJ理財網 | LINE TODAY

MoneyDJ新聞 2020-07-06 14:46:03 記者 陳苓 報導 三星先進技術研究院(Samsung Advanced Institute of Technology、簡稱SAIT)研發出新的半導體材料---「非晶質氮化硼」(amorphous boron nitride、簡稱a-BN),有望讓次世代半導體加速現身。 三星官網6日新聞稿稱(見此),SAIT、南韓蔚山國家科學技術研究院(

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三星電子在2020年7月6日宣布,旗下三星先進技術研究院(Samsung Advanced Institute of Technology, SAIT)成功研發非晶質氮化硼 (amorphous boron nitride, a-BN) 的新材料,此聯合研究成果來自SAIT、國立蔚山科學技術研究院 (UNIST)及劍橋大學。

資料佐證

https://iknow.stpi.narl.org.tw/Post/Read.aspx?PostID=16807

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